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Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1.4
1.2
1.0
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.2
1.1
I D = 250 μ A
0.8
1.0
0.6
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
0.4
-80
-40
0 40 80 120
o
160
200
0.9
-80
-40
0 40 80 120
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
160
200
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
3000
10
V DD = 30V
1000
C OSS ? C DS + C GD
C RSS = C GD
C ISS = C GS + C GD
8
6
4
100
40
0.1
V GS = 0V, f = 1MHz
1
10
60
2
0
0
5
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
I D = 50A
I D = 25A
10 15 20
25
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD13AN06A0 Rev. C2
5
www.fairchildsemi.com
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